на первый
заказ
Реферат на тему: Туннельный эффект. Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах
Введение
Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким:U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (ЕU0),
то частица беспрепятственно проходит над барьером;
U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера
Е (ЕU0), то частица отражается и летит в обратную сторону;
сквозь барьер частица проникнуть не может.
I II III Совершенно иначе поведение частицы по законам квантовой
механики. Во-первых, даже при ЕU0 имеется отличная от ну-
0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального
Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно. Во-вторых, при ЕU0 имеется ве-
через потенциальный барьер. роятность того, что частица проникнет "сквозь" барьер и ока-
жется в области III. Такое поведение частицы описывается уравнением Шрёдингера:
Оглавление
- Туннельный эффект.- Проявление в неоднородных структурах, использование в устройствах микроэлектроники.
- Контакт металл-металл.
- Структура металл-диэлектрик-металл.
- Токоперенос в тонких плёнках.
- Туннельный пробой в р-n-переходе.
- Эффекты Джозефсона.
- Эффект Франца-Келдышева.
- Туннельный диод.
- Литература.
Список литературы
- И.В. Боднарь, Л.Г. Березуцкий "Методическое пособие к лабораторным работам по курсу ФХОМКиТ РЭС и ЭВС". Мн.; БГУИР, 1997 г.- И.В. Боднарь, Л.Г. Березуцкий "Методическое пособие для самостоятельной работы студентов по курсу ФХОМКиТ РЭС и ЭВС. Раздел "Контактные явления". Мн.; БГУИР, 1998 г.
- Г.И. Епифанов, Ю.А. Мома "Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА". М.; "Советское радио", 1979 г.
- И.П. Жеребцов "Основы электроники". Ленинград, "Энергоатомиздат", 1985 г.
- В.В. Новиков "Теоретические основы микроэлектроники". М.; "Высшая школа", 1972 г.
- К.В. Шалимова "Физика полупроводников". М.; "Энергия", 1976 г.
- Под редакцией Г.Г. Шишкина "Электронные приборы". М.; "Энергоатомиздат", 1989 г.
- А.А. Штернов "Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники". М.; "Радио и связь", 1981 г.
или зарегистрироваться
в сервисе
удобным
способом
вы получите ссылку
на скачивание
к нам за прошлый год